西安交通大学校友（成果填补空白）

2025-07-20 15:03:01 阅读 453 评论 0

摘要：作为享有盛誉的微电子学专家，中国科学院院士、西安交通大学1991届校友郝跃不仅是我国第三代半导体领域的开拓者和引领者，还是一位扎根祖国西部，坚守育人初心的高校教师，长期以来，他在高等教育战线上辛勤耕耘，为国家集成电路领域培育拔尖创新人才。在不久前的第37个教师节

作为享有盛誉的微电子学专家，中国科学院院士、西安交通大学1991届校友郝跃不仅是我国第三代半导体领域的开拓者和引领者，还是一位扎根祖国西部，坚守育人初心的高校教师，长期以来，他在高等教育战线上辛勤耕耘，为国家集成电路领域培育拔尖创新人才。在不久前的第37个教师节，郝跃院士当选“全国教书育人楷模”，全国仅10人。

刻苦求学，情系微电子

郝跃1958年出生并成长于江城重庆，他从小就对无线电感兴趣，16岁高中毕业时，因为年龄太小无法招工，他就在学校当起了义务电工，修理发电机、电动机、汽车电子器件这样的活他全都干了个遍。1977年，已经在地质队电工岗位工作的郝跃听到了恢复高考的消息，他当即决定参加高考，继续追寻自己的无线电梦想。那时，郝跃白天坚持工作，晚上又点起煤油灯学到凌晨两三点，凭借着坚强的信念和吃苦精神，他顺利考入了当时的西北电讯工程学院（西安电子科技大学前身）。

1982年，郝跃大学毕业后留校任教，从此走上了微电子材料和器件的科学研究与人才培养道路。1987年，郝跃进入西安交通大学攻读计算数学博士研究生。在这里，他不仅收获了知识，也结识了日后对他人生产生重要影响的恩师，数学家游兆永先生。导师严谨的治学精神，诲人不倦的科学态度，对他成就今后的人生产生了重要影响。“在西安交大这段时期的学习，培养了我从事科学研究必备的严谨思维。”郝跃说。

勇于担当，助力“中国芯”

微电子学是信息科学领域的重要基础学科，以集成电路芯片为核心的微电子技术，不仅与我们的生活息息相关，更是国家核心竞争力的体现。

上世纪90年代，郝跃开始研究半导体材料氮化镓。为了解决设备缺乏的问题，2001年，他带领团队研制成功我国第一代MOCVD（有机化合物化学气相淀积）设备。此后，他又系统研究并揭示了GaN电子材料生长中缺陷形成的物理机理，并在此基础上成功建立第一代自主国产化的MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺。2002年，GaN高亮度蓝光LED器件在郝跃的实验室成功问世。此外，他们自主建立的国产化GaN微波毫米波功率器件填补了国内空白，打破了发达国家的技术封锁与禁运，并开始用于多项雷达和测控国家重点工程。2013年，郝跃当选为中国科学院院士。

当前，郝跃团队已将氮化镓微波功率器件的效率提高到了当前国际最高纪录的85%，这几乎达到了半导体微波功率器件电能转换的极限。他和团队获得国际和国家发明专利授权300余项，其中，“氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术”项目，获得中国和美国发明专利授权22项，实现了我国在该领域的重大突破，获得了2015年度国家科技进步奖二等奖。如今，这项成果已在4G和5G通信基站、先进雷达系统、电力电子系统、紫外医疗、彩色印刷固化等领域得到广泛应用。