中南大学物理与电子学院（中南大学本科生发表一区综述文章）

关注微信公众号：材料科学与工程（ID：mse_material）学习更多！

近日，中南大学物理与电子学院15级本科生张丝雨撰写的综述文章“Recent Progress in the Fabrication, Properties, and Devices of Heterostructures Based on 2D Materials”在高水平SCI期刊《Nano-Micro Letters》(IF:7.381,中科院JCR一区)上发表。张丝雨和其指导导师刘艳平为本文共同第一作者,中南大学为第一单位。

论文链接：

https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs40820-019-0245-5

二维材料异质结具有二维材料本身优点的同时，还呈现出单个二维材料以及传统块体材料异质结所没有的特性，例如寿命延长的层间激子、灵活的能带工程和谷极化的增强等等。因此，二维材料异质结无疑是新一代光电子器件、谷电子器件和自旋器件关键组成部分，具有广阔的应用前景。随着干法转移、CVD合成等二维材料异质结制备技术不断发展，人们对其中各种物理性质的研究逐步深入。

CVD生长过程

本篇综述系统全面总结了在二维材料异质结的制备、能带结构、激子特性、输运性质和磁性质等方面的研究成果，及其在光电器件、电子器件、谷电子器件和自旋器件中的应用，指出了二维材料异质结器件走向普遍应用所面临的主要挑战，提出了未来异质结构的设计思路和该领域的发展动向。

二维材料异质结在自旋电子学和谷电子学中的应用

张丝雨在大三时加入中南大学低维量子器件实验室，在刘艳平教授的指导下，开展文献调研收集、图片处理、撰写等工作，历时8个月。本论文是目前物理与电子学院本科生发表SCI论文中影响因子最高的一篇。同时本工作得到了国家自然科学基金，中南大学创新驱动计划和中南大学青年创新团队的大力支持。目前张丝雨另外2篇科研实验SCI论文正在审稿中，有望在本科毕业前实现3篇高水平SCI论文。

二维材料异质结在自旋电子学和谷电子学中的应用

《Nano-Micro Letters》(纳微快报)是Springer以Open Access开放获取出版的国际期刊，主要发表物理、化学、材料、生物和工程领域纳米级和微米级的科学、技术的最新进展，为研究纳米微米尺度的科研工作者提供一个专业学术交流平台，致力于快速发表与纳米微米相关的科研进展和评论文章。该期刊2018年影响因子为7.381，属于中科院一区国际权威期刊。（来源：中南大学）

关注微信公众号：材料科学与工程（ID：mse_material）学习更多！