天津工业大学2019考研《半导体物理》复试大纲

2019考研初试成绩预计将于2月15日左右开始查询，现在应该有不少估过分的考生开始准备复试了。下面是天津工业大学2019考研《半导体物理》复试大纲，以供大家备考复试作参考。

天津工业大学硕士研究生入学考试业务课考试大纲

科目编号：0502 科目名称：半导体物理

一、考试的总体要求

半导体物理为微电子学与固体电子学专业基础课，考试总分为100分。

半导体物理要求学生熟练掌握半导体物理的基本理论、基本概念和方法，为进一步学习半导体器件理论研究、器件制备、工艺和器件仿真，和集成电路设计等研究方向打下基础。

二、考试的内容及比例

考试内容如下：(总计100分)

1、半导体的晶体结构：半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

2、半导体载流子的统计分布：包括热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系;

4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减;

5、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

6、半导体金-半接触：功函数、亲和势，阻挡层及反阻挡层，整流接触，欧姆接触;

7、半导体MOS结构：表面电场效应，平带电压，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响)，表面电场对p-n结特性的影响;

8、半导体异质结：异质结概念及基本异质结的能带图;

9、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用;

10、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用。

三、试卷的题型及比例

考试题型包括名词解释(25分)、简答题(40分)、综合题(35分)。

四、考试形式及时间

考试形式为笔试，时间为100分钟。

五、主要参考教材

1.刘恩科等编，《半导体物理学》第七版，电子工业出版社

2.曹培栋编著，《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》，电子工业出版社